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高端半導體芯片掩模版制造基地項目
發(fā)布日期:2022-09-28


 根據(jù)《中華人民共和國環(huán)境保護法》、《中華人民共和國環(huán)境影響評價法》以及《關于印發(fā)<建設項目環(huán)境影響評價政府信息公開指南(試行)>的通知(環(huán)辦[2013]103號文件>》規(guī)定,受建設單位委托,由廣東華博士環(huán)保科技有限公司承擔高端半導體芯片掩模版制造基地項目環(huán)境影響評價工作,并進行公示:

1、項目名稱:高端半導體芯片掩模版制造基地項目

2、建設地點:珠海市高新區(qū)金鼎片區(qū)金鼎中路東、金瑞二路北側(cè)

3、建設單位:珠海市龍圖光罩科技有限公司

4、委托時間: 2022928

5、項目概況:

項目總投資66942.07萬元,占地面積為20000.21平方米,37698.95平方米,主要建筑為一棟4層的1#廠房、一棟3層的2#廠房、一棟6層的宿舍樓、一棟4層(含地下一層)的動力車間、一棟1層的化學品庫等本項目主要從事掩模版的生產(chǎn),預計年產(chǎn)掩模版12.5萬片/。

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