按照《建設(shè)項(xiàng)目環(huán)境影響評(píng)價(jià)信息公開(kāi)機(jī)制方案》（環(huán)發(fā)[2015]162號(hào)）文件要求，現(xiàn)將研發(fā)測(cè)試及試驗(yàn)中心建設(shè)項(xiàng)目相關(guān)情況公示如下：

1.項(xiàng)目名稱：研發(fā)測(cè)試及試驗(yàn)中心建設(shè)項(xiàng)目

2.建設(shè)地點(diǎn)：珠海市高新區(qū)金鼎工業(yè)片區(qū)金環(huán)路以北、金園二路西側(cè)自建廠房（珠海高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)）

3.建設(shè)單位：珠海市威兆半導(dǎo)體有限公司

4.項(xiàng)目概況：

珠海市威兆半導(dǎo)體有限公司擬投資19654.94萬(wàn)元于珠海市高新區(qū)金鼎工業(yè)片區(qū)金環(huán)路以北、金園二路西側(cè)自建廠房（珠海高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)）建設(shè)“研發(fā)測(cè)試及試驗(yàn)中心建設(shè)項(xiàng)目”（以下簡(jiǎn)稱“本項(xiàng)目”），建設(shè)內(nèi)容主要是集成電路芯片的設(shè)計(jì)及優(yōu)化，通過(guò)不同類型實(shí)驗(yàn)設(shè)備測(cè)試驗(yàn)證芯片設(shè)計(jì)方案的可行性。年研發(fā)MOSFET、IGBT、SiCMOS三類芯片合計(jì)共10000顆。

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